|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| FCA1206C474M | 40 |
|
||
| FCH35N60 | 4 | 892.68 руб. | ||
| FDC6302P | 5 |
|
||
| FDC6331L | 124 | 63.60 руб. | ||
| FDC6333C | 72 | 44.40 руб. | ||
| FDC638P | 80 |
|
||
FDD03-15S3
|
DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=36:72В, выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, корпус DIP24 32х20х12мм, -25°С:+71°С | 8 | 1 316.43 руб. | |
| FDD3682 | 1 |
|
||
| FDD6637 | P-канальный ПТ, VDS,В 35, ID 13, Ptot,Вт 1.3 | 448 | 116.54 руб. | |
FDD8447L
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level) | 1 440 | 29.95 руб. | |
FDD8878
|
N-channel powertrench mosfet | 4 |
|
|
| FDG6322C | 4 |
|
||
| FDH300 | 4 015 | 26.64 руб. | ||
| FDLL4448 | 80 | 10.04 руб. | ||
| FDMA507PZ | 40 |
|
||
| FDN302P | 9 000 | 3.95 руб. | ||
| FDN304P | 8 600 | 4.25 руб. | ||
FDN335N
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.79 руб. | |
FDN337N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 8 400 | 4.09 руб. | |
| FDN338P | 6 800 | 5.51 руб. | ||
| FDN340P | 40 |
|
||
FDN357N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.46 руб. | |
| FDN358P | 1 | 21.21 руб. | ||
FDN360P
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А | 9 600 | 4.52 руб. | |
| FDN5618P | 6 800 | 10.28 руб. | ||
FDN5630
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 7.04 руб. | |
| FDN86246 | 1 480 | 16.27 руб. | ||
| FDS4435BZ | 1 920 | 13.02 руб. | ||
| FDS6612A | 2 |
|
||
| FDS9431A | P-канальный полевой транзистор (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W) | 2 320 | 17.27 руб. | |
| FDS9435A | 10 160 | 5.74 руб. | ||
FDV301N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W) | 11 600 | 4.93 руб. | |
FDV303N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W) | 2 000 | 1.87 руб. | |
FDV305N
|
20v n-channel powertrench mosfet | 9 000 | 4.26 руб. | |
FEP16DT
|
1 | 152.48 руб. | ||
| FF150R12KE3G | модуль IGBT | 10 | 21 682.74 руб. | |
FFB5551
|
4 |
|
||
FGH40N60SFDTU
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop | 304 | 316.06 руб. | |
FGH40N60SMD
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт | 244 | 223.90 руб. | |
FGH40N60UFDTU
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт | 80 | 495.94 руб. | |
| FGH60N60SMD | 240 | 322.36 руб. | ||
| FIS115NL | 27 | 237.07 руб. | ||
FJAF6812
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN hi-res, 1500V, 12A, 60W, Tf<200nS | 53 | 341.99 руб. | |
| FLZ12VA | 4 |
|
||
| FM1808-70-S | FRAM parallel 32Kx8 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С | 230 | 712.32 руб. | |
| FM22L16-55-TG | 97 | 1 930.93 руб. | ||
| FM25CL64-S | Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (8K x 8bit, SPI interface to 20 MHz, 10 лет, Vcc=+3.0-3.65V, Is=1uA, -40 to +85C) | 1 | 212.39 руб. | |
| FM25V02-G | 1 |
|
||
| FM31256-G | FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:5.5В, -40°:+85°C, nSOIC14, Pb-Free | 96 | 421.80 руб. | |
| FMB2907A | 800 | 32.79 руб. | ||
 |
 |
 |
 |
 |
 |