Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF8313PBF

Версия для печати Транзистор МОП N-канальный (30V, 9.7A, 2W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF8313PBF 5 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF8313PBF

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 15V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF8313PbF
MOSFET

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8313PbF.pdf
254.8 Кб