Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1010N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 400 | 158.76 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 43A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Power - Max | 180W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 800 | 72.58 руб. | |
| TL598CN (TEXAS) | 90 | 183.44 руб. | |
| КП303Е (ФОТОН) | 8899 | 37.80 руб. | |
| КР142ЕН22 (СЗТП) | 53 | 585.14 руб. | |
| КР142ЕН22А (МИКРОН) | 128 | 694.31 руб. | |
|
IRF1010NS N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1010NS
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
