| Наименование | Кол-во | Цена |  | 
|---|---|---|---|
| IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 800 | 72.58 руб. | |
Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.
Параметр                              N-канал            P-канал
Uси.max                                  30V                  -30V
Uзи.max                                          +/- 20V
Iс.max                4A(+25oC), 3,2A(+70oC) /-3A(+25oC) -2,4A(+70oC)
Pрасс.max                             1,4W (при +25oC)
Rси.откр. (тип.)                      0,05 Om            0,1 Om
Свх/Cвых (тип.)                 520pF/180pF     440pF/200pF
tвкл/выкл (тип.)                   6.8nS/22nS        11nS/25nS
Tраб.                                          -55oC..+150oC
| Параметр | Значение | 
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A, 3A | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.4A, 10V | 
| FET Feature | Standard | 
| FET Type | N and P-Channel | 
| Серия | HEXFET® | 
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 520pF @ 15V | 
| Power - Max | 1.4W | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
| Корпус | 8-SO | 
 
        
            
            
            | IRF7309 N/P-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET 
                                Производитель: 
 | ||