|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| BQ24100RHLR | IC LI-ION/POL CHARGE MGMT (4.35 V ~ 16 V, 40°C ~ 85°C) | 366 | 367.90 руб. | |
|
|
3 | 45.85 руб. | ||
| BQ24620EVM | 2 | 13 993.40 руб. | ||
| BQ24650RVAR | 78 | 385.23 руб. | ||
|
|
2 | 9 028.00 руб. | ||
| BR100/03 | ДИНИСТОР 28-36В 2А DO35 | 4 |
|
|
| BR1112H-TR | 47 | 25.91 руб. | ||
| BR24C64 | CMOS EEPROM 64K (8192x8) I2C-bus, | 53 | 113.37 руб. | |
|
|
34 | 74.48 руб. | ||
| BR310 | ДиодНЫЕ мостЫ 3A 1000V | 6 | 16.78 руб. | |
| BR810 | ДиодНЫЙ МОСТ 1000V 8A | 17 | 112.85 руб. | |
| BRS-1A12 | 42 | 146.70 руб. | ||
|
|
Реле электромеханическое +12В/10А | 2 | 185.07 руб. | |
| BS170FTA | 247 | 78.19 руб. | ||
| BS62LV1027SIP55 | ИМС SRAM 2,4-5,5V | 1 | 1 354.20 руб. | |
| BS62LV256PC-70 | 6 | 451.40 руб. | ||
| BS62LV256PIP55 | 4 | 496.54 руб. | ||
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 253 | 190.80 руб. | |
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 253 | 190.80 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 1.96 руб. | |
| BSN254A | Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D) | 4 577 | 241.02 руб. | |
| BSP129 | N-ch 100V 0,37A 6R | 407 | 67.71 руб. | |
| BSP170P | 576 | 24.50 руб. | ||
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 19.13 руб. | |
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 34.39 руб. | |
| BSP254A | 80 | 102.13 руб. | ||
| BSP297 | 80 |
|
||
| BSP317P | 4 651 |
|
||
| BSP52 | Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000 | 800 |
|
|
| BSP742T | Smart Power High-Side-Switch 5...34V 0.4Ohm 1.1A, DSO8 | 3 992 | 135.42 руб. | |
| BSP752R | 51 | 241.68 руб. | ||
| BSP762T | 3 |
|
||
| BSP88 | 103 | 28.36 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (240V, 360mA, 6om) | 8 800 | 45.14 руб. | |
|
|
13 168 |
|
||
|
|
24 |
|
||
| BSP92 | P-канальный Полевой транзистор (Vds=240V, Id=200mA, Rds=20 R), smd. | 533 | 75.89 руб. | |
|
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23 | 2 400 | 6.21 руб. | |
| BSR15 | Транзистор биполярный SMD | 96 |
|
|
| BSR19 | Транзистор биполярный SMD | 810 | 1.89 руб. | |
|
|
47 | 38.44 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V 150mA 6 Ohm @ 120mA, 10V 40pF @ 25V 225mW Tape & Reel (TR) — SST3) | 6 400 | 1.96 руб. | |
| BSS123LT1G | Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | 223 | 8.90 руб. | |
| BSS131 | Транзистор полевой SMD N-Канальный 240V 0,1A 0,36W 16R | 1 880 | 6.44 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, -55 to 150C) | 78 200 | 1.32 руб. | |
| BSS138-7-F | 88 | 13.64 руб. | ||
| BSS138LT1G | 19 600 | 4.46 руб. | ||
|
|
N-channel enhancement mode field effect transistor | 46 800 | 1.51 руб. | |
| BSS138W-7-F | 1 360 | 11.16 руб. | ||
| BSS159N | 8 960 | 4.76 руб. | ||