Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP89

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (240V, 360mA, 6om)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP89 6400 44.40 руб. 

Технические характеристики BSP89

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 108µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Power - Max 1.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус PG-SOT223-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
74HC00D (NXP) 3295 20.35 руб. 
OP07CDR 5360 12.76 руб. 
BSP89

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bsp89.pdf
174.88Kb
9стр.