|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
|
|
Hexfet® power mosfet | 40 |
|
|
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C). | 24 |
|
|
| IRFR9310TRPBF | 1 736 | 251.44 руб. | ||
| IRFR9N20DPBF | 1 040 | 65.71 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой | 18 | 88.80 руб. | |
|
|
Транзистор МОП N-канальный (75V, 260A, 370W, D2PA) | 68 | 254.40 руб. | |
| IRFS38N20DTRLP | 624 | 200.87 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (150V, 99A, 375W 0.0121R) | 50 | 652.68 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 40 | 173.34 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 62A, 330W, 0.026R) | 18 | 305.28 руб. | |
|
|
620 | 132.14 руб. | ||
|
|
240 | 247.97 руб. | ||
|
|
784 | 114.07 руб. | ||
| IRFS630B | N-MOS 200V, 5.9A, 35W | 8 | 123.68 руб. | |
| IRFU110PBF | 20 | 80.59 руб. | ||
| IRFU120NPBF | N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Rds=0.21 R@Vgs=10V, P=48W). | 1 600 | 42.49 руб. | |
| IRFU4620PBF | 20 | 114.76 руб. | ||
| IRFU5305PBF | 1 160 | 65.59 руб. | ||
|
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 to +150C) | 8 | 88.80 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 69.34 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W | 2 | 54.55 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 23 | 288.60 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, P=68W, -55 to +175C) | 53 | 86.20 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 144.30 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | 8 | 97.44 руб. | |
|
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C) | 800 | 97.44 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 mOhm(typ), P=94W, -55 to +175C), Pb-free. | 6 880 | 18.94 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C). | 931 | 34.70 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W | 808 | 44.42 руб. | |
|
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C). | 266 | 129.30 руб. | |
|
|
Полевой транзистор N-Канальный 55V 53A 94W 0,016R | 2 | 50.83 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 16 | 114.48 руб. | |
| IRFZ48NSPBF | 237 | 63.60 руб. | ||
|
|
Hexfet® power mosfet | 80 | 139.61 руб. | |
|
|
Модули IGBT 600V 28A 100W | 208 | 309.96 руб. | |
| IRG4PC40FD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
| IRG4PC40KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast) | 80 | 473.16 руб. | |
| IRG4PC50KD | Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 421.80 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный N канальный 1200В, 20А, 100Вт | 22 | 377.40 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | 5 | 772.99 руб. | |
|
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78А | 2 | 799.20 руб. | |
| IRG4PSH71UDPBF | 4 |
|
||
|
|
120 | 524.57 руб. | ||
| IRGB10B60KD | 98 | 106.85 руб. | ||
|
|
586 | 636.00 руб. | ||
|
|
10 | 263.92 руб. | ||
| IRGP4062D | 4 | 488.40 руб. | ||
| IRGP4062D | 4 | 488.40 руб. | ||
| IRGP4063DPBF | 416 | 843.09 руб. | ||