Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SIS412DN-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY) 1074 24.90 руб. 

Технические характеристики SIS412DN-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 435pF @ 15V
Power - Max 15.6W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® 1212-8
Корпус PowerPAK® 1212-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAT54C (HOTTECH) 159564 2.00 руб. 
BLM31PG121SN1L (MURATA) 62400 4.96 руб. 
IRLML6402TRPBF (INFINEON) 231083 12.60 руб. 
NFM18PS105R0J3D (MURATA) 9497 8.80 руб.