| Наименование | Кол-во | Цена |  | 
|---|---|---|---|
| IRLML6402TR | 1183 | 31.08 руб. | |
| IRLML6402TRPBF (INFINEON) | 17600 | 8.68 руб. | |
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси         20В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.      3.78А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.       65мОм
Корпус SOT23
| Параметр | Значение | 
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V | 
| FET Feature | Logic Level Gate | 
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 
| Серия | HEXFET® | 
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V | 
| Power - Max | 1.3W | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
| Корпус | Micro3™/SOT-23 | 
 
        
            
            
            | P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем 
 | ||