Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI7852ADP-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI7852ADP-T1-E3 (VISHAY) 6 575.82 руб. 

Описание SI7852ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO

Технические характеристики SI7852ADP-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1825pF @ 40V
Power - Max 62.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


si7852ad.pdf