Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 34A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 64A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 43nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRL3103L N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL3103S
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
