IRFZ48N

Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C).

Наименование	Кол-во	Цена
IRFZ48N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	117.94 руб.

Описание IRFZ48N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Максимальный ток стока 64А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 0,014 om
Максимальная мощность рассеивания 130W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 12/34nS (тип.)
Время восстановления диода 68nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1970/470pF
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур -55..+175oC

Технические характеристики IRFZ48N

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1970pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	800	90.72 руб.
LM317T (ST MICROELECTRONICS)	6603	41.68 руб.
TIP35C (ST MICROELECTRONICS)	231	182.85 руб.
К561ТМ2	800	45.36 руб.
К561ТМ2 (СПЛАВ)	800	88.03 руб.

IRFZ48N
Мощные полевые МОП транзисторы

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irfz48n.pdf
68.45Kb
8стр.