Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF610PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 3.3A, 36W, 1.5R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF610PBF (VISHAY) 1233 76.57 руб. 

Технические характеристики IRF610PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V
Power - Max 36W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
6Ж1П 1 120.96 руб. 
6Ж1П 1 120.96 руб. 
6Н2П 26 241.92 руб. 
6С4П-ЕВ 7 424.57 руб. 
6Ф5П 38 100.80 руб. 
IRF610PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF610PBF.pdf
2.1 Мб