Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDV301N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
FDV301N 11600 4.84 руб. 

Технические характеристики FDV301N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 220mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9.5pF @ 10V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSS138 (HOTTECH) 105392 2.51 руб. 
GRM155R71H103KA88D (MURATA) 186320 1.24 руб. (от 100 шт.  0.62 руб.)
LMZ21701SILT 285 181.14 руб. 
MUN5211T1G (ONS) 18093 10.09 руб. 
FDV301N
Мощные полевые МОП транзисторы

Digital Fet, N-channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fdv301n.pdf
100.52Kb
5стр.