|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
|
|
Полевой транзистор | 440 | 55.99 руб. | |
|
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet | 26 | 130.50 руб. | |
|
|
N-channel 800v - 1.9? - 4.3a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet | 40 | 211.21 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт | 1 560 | 61.40 руб. | |
|
|
N-Ch 1500V 4A 160W 5R | 224 | 184.72 руб. | |
|
|
N-channel 600 v - 0.047 ? - 51 a to-247 fdmesh™ ii power mosfet (with fast diode) | 80 | 1 053.86 руб. | |
| STD16NF06T4 | 1 920 | 43.39 руб. | ||
| STD30NF06LT4 | 528 | 117.78 руб. | ||
|
|
Транзистор N-Канальный+Zener-Diod 500V, 14A, 150W, 0,38R | 8 | 347.69 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 80 | 176.23 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 192 000 | 3.72 руб. | |
| IRLL024NTRPBF | 1 272 | 37.57 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 2 174 | 18.15 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 1.82 руб. | |
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 19.13 руб. | |
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 34.39 руб. | |
| BSS123LT1G | Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | 9 600 | 4.96 руб. | |
|
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.07 руб. | |
|
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.46 руб. | |
|
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 6.06 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт | 80 | 80.02 руб. | |
|
|
N-канальный 200В 18А | 182 | 102.11 руб. | |
|
|
Hexfet® power mosfet | 40 | 113.46 руб. | |
|
|
Полевой транзистор | 480 | 148.78 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 5.4A, 150W, 2.0R) | 308 | 151.10 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 4.6A, 200V | 80 | 63.82 руб. | |
|
|
Транзистор N-Канальный 100V 16A 79W 0,115R | 44 | 79.42 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 70.49 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 147.50 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 6 480 | 6.20 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 14 | 99.84 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 7 | 90.77 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field effect transistor | 5 680 | 9.92 руб. | |
|
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet | 4 |
|
|
|
|
N-channel 60v - 0.018? - 35a - dpak stripfet™ ii power mosfet | 1 840 | 28.16 руб. | |
|
|
N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet | 6 | 79.46 руб. | |
|
|
N-channel 20v - 0.030 w - 6a so-8 2.7v-drive stripfet™ ii power mosfet | 33 | 90.77 руб. | |
|
|
Полевой транзистор | 623 | 135.97 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field effect transistor | 6 627 | 5.48 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C). | 24 |
|
|
|
|
Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А | 266 | 55.25 руб. | |
| IRF840B | 5 | 134.31 руб. | ||
| IRFL014TR | Транзистор MOSFET | 248 | 18.15 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 1 780 | 48.89 руб. | |
| IRLR8726 | 1 512 | 15.70 руб. | ||
|
|
Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R | 3 | 305.61 руб. | |
| 2SK2381 | 266 | 144.79 руб. | ||
|
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | 3 | 249.61 руб. | |
| SPP11N80C3 | 4 | 249.61 руб. | ||
| SPP11N80C3 | 4 | 249.61 руб. | ||