|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| STP12PF06 | 80 | 87.14 руб. | ||
|
|
N-channel 600v - 0.25? - 20a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | 160 | 384.35 руб. | |
|
|
N-MOS 600V, 4A, 25W | 2 280 | 34.72 руб. | |
|
|
Полевой транзистор | 520 | 55.99 руб. | |
|
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet | 26 | 128.36 руб. | |
|
|
N-channel 800v - 1.9? - 4.3a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet | 40 | 223.17 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт | 1 700 | 61.40 руб. | |
|
|
N-Ch 1500V 4A 160W 5R | 143 | 173.23 руб. | |
| STD16NF06T4 | 2 000 | 44.63 руб. | ||
| STD30NF06LT4 | 536 | 122.74 руб. | ||
|
|
Транзистор N-Канальный+Zener-Diod 500V, 14A, 150W, 0,38R | 8 | 341.99 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 80 | 173.34 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 216 000 | 3.72 руб. | |
| IRLL024NTRPBF | 1 352 | 37.57 руб. | ||
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 2 174 | 17.76 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.10 руб. | |
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 1 | 29.98 руб. | |
|
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 80 | 61.29 руб. | |
| BSS123LT1G | Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | 223 | 8.90 руб. | |
|
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.79 руб. | |
|
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.46 руб. | |
|
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 7.04 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт | 80 | 78.70 руб. | |
|
|
N-канальный 200В 18А | 182 | 114.48 руб. | |
|
|
Hexfet® power mosfet | 40 | 127.20 руб. | |
|
|
Полевой транзистор | 480 | 161.18 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 5.4A, 150W, 2.0R) | 356 | 151.10 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный 4.6A, 200V | 80 | 62.78 руб. | |
|
|
Транзистор N-Канальный 100V 16A 79W 0,115R | 44 | 77.70 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 69.34 руб. | |
|
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 144.30 руб. | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 8 800 | 6.20 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 14 | 97.68 руб. | |
|
|
Транзистор полевой | 7 | 88.80 руб. | |
|
|
Транзистор | 50 | 16.25 руб. | |
|
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet | 4 |
|
|
|
|
N-channel 60v - 0.018? - 35a - dpak stripfet™ ii power mosfet | 1 920 | 28.16 руб. | |
|
|
N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet | 6 | 82.54 руб. | |
|
|
N-channel 20v - 0.030 w - 6a so-8 2.7v-drive stripfet™ ii power mosfet | 33 | 88.80 руб. | |
|
|
Полевой транзистор | 767 | 115.26 руб. | |
|
|
N-channel enhancement mode field effect transistor | 11 120 | 1.30 руб. (от 100 шт. 0.65 руб.) | |
|
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C). | 24 |
|
|
|
|
Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А | 266 | 54.34 руб. | |
| IRF840B | 5 | 132.11 руб. | ||
| IRFL014TR | Транзистор MOSFET | 248 | 20.35 руб. | |
|
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 1 812 | 48.89 руб. | |
| IRLR8726 | 1 832 | 15.70 руб. | ||
|
|
Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R | 3 | 305.61 руб. | |
| 2SK2381 | 266 | 142.42 руб. | ||
|
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | 3 | 244.20 руб. | |