MJD44H11G

Версия для печати Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт

Наименование	Кол-во	Цена
MJD44H11G (ONS)	79	285.16 руб.

Описание MJD44H11G

Транзистор биполярный NPN
Напряжение сток-исток / исток - затвор 80В
Ток стока 8А
граничная частота передачи тока 50МГц
Мощность 20Вт
Коэфф- т передачи тока 60

Технические характеристики MJD44H11G

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 4A, 1V
Power - Max	1.75W
Frequency - Transition	85MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MJD44H11
Мощные биполярные транзисторы

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

Также в этом файле: MJD44H11G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mjd44h11.pdf
92.58Kb
8стр.