Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BUT11AF

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A

Наименование
Кол-во
Цена
 
BUT11AF (PHILIPS) 14 163.80 руб. 

Технические характеристики BUT11AF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Power - Max 100W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SD2095 (TOSHIBA) 5 244.94 руб. 
IR2153 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 8 172.37 руб. 
BUT11AF

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Wing Shing Electronic
//www.wingshing.com

but11af.pdf
73.84Kb
1стр.