Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BUT11A

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS

Наименование
Кол-во
Цена
 
BUT11A (ISC) 590 156.95 руб. 

Технические характеристики BUT11A

Параметр
Значение
Корпус TO-220
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 100W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N3904 10400 1.52 руб. (от 100 шт.  0.76 руб.)
78L05 (HOTTECH) 44904 9.69 руб. 
BU508AF (PHILIPS) 34 151.20 руб. 
ST13009 (ST MICROELECTRONICS) 465 196.44 руб. 
BUT11AF

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Wing Shing Electronic
//www.wingshing.com

but11af.pdf
73.84Kb
1стр.