Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N5550

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)

Технические характеристики 2N5550

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 625mW
Frequency - Transition 300MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус TO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для 2N5550

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N5551 15680 1.28 руб. 
КТ6127И (ЭЛЕКС (АЛЕКСАНДРОВ)) 952 30.53 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MCR100-6 (ON SEMICONDUCTOR) 53 32.79 руб. 
2N5550

Amplifier Transistors NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

2n5550[1].pdf
68.35Kb
8стр.