Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP4NK60Z

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP4NK60Z (ST MICROELECTRONICS) 400 95.18 руб. 

Технические характеристики STP4NK60Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Power - Max 70W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148 (DIOTEC) 173849 3.28 руб. 
STP4NK60Z
MOSFET

N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET TO-220

Производитель:
STMicroelectronics

STP4NK60Z.pdf
577.5 Кб