Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STB23NM50N

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
STB23NM50N (ST MICROELECTRONICS) 800 400.18 руб. 

Описание STB23NM50N

MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK

Технические характеристики STB23NM50N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия MDmesh™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1330pF @ 50V
Power - Max 125W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


CD00259533.pdf