Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2304BDS-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2304BDS-T1-E3 (VISHAY) 240 119.14 руб. 

Технические характеристики SI2304BDS-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 225pF @ 15V
Power - Max 750mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.