Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBT2907ALT1G

Версия для печати Полевой транзистор SMD

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT2907ALT1G (ONS) 124698 3.00 руб. 

Технические характеристики MMBT2907ALT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 200MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
3296X-5К (CHINA NATIONAL) 5280 39.53 руб. 
RC0805FR-071KL (YAGEO) 627053 1.32 руб. (от 500 шт.  0.44 руб.)
US1M (HOTTECH) 313222 1.57 руб. 
К561ЛН2 (РОДОН) 1 198.37 руб. 
MMBT2907ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transisters PNP Silicon

Также в этом файле: MMBT2907ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbt2907alt1.pdf
121.53Kb
6стр.