IRLML6401TRPBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Наименование	Кол-во	Цена
IRLML6401TRPBF (INFINEON)	39014	15.00 руб.

Описание IRLML6401TRPBF

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 10V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
293D107X9010C2TE3 (VISHAY)	40474	43.88 руб.
ATMEGA32A-AU (MICRO CHIP)	6229	280.41 руб.
MCP73831T-2ATI/OT (MICRO CHIP)	851	111.37 руб.
SN74LVC1G3157DBVR (TEXAS)	12655	11.00 руб.
TPS76330DBVR (TEXAS)	574	79.08 руб.

irlml6401gpbf.pdf