Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 15MQ040NTR (LGE) | 2480 | 8.68 руб. | |
| KA2S0680 (SAMSUNG) | 53 | 217.73 руб. | |
|
IRLL024N N-канальные транзисторные модули Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
