Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR9014

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9014 (VISHAY) 240 30.22 руб. 

Технические характеристики IRFR9014

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 270pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP92 (INFINEON) 533 70.31 руб. 
LM324N (TEXAS INSTRUMENTS) 4127 50.40 руб. 
КР590КН2 (СВЕТЛАНА) 4032 30.24 руб. 
IRFx901x

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFR9014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

irfx901x.pdf
305.31Kb
5стр.