IRF840

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRF840PBF (VISHAY)	6796	197.31 руб.

Описание IRF840

Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 125 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 500 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1500 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.85 Ом

Технические характеристики IRF840

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	PowerMESH™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF840

Наименование	Кол-во	Цена
КП777А (ИНТЕГРАЛ)	5	195.05 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N4148 (DIOTEC)	166951	3.05 руб.
IR2153 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	8	172.37 руб.
IRF740	410	29.42 руб.
MPSA42	2000	1.98 руб.
К155ИД1 (-----)	320	347.16 руб.

IRF840

N - Channel Powermesh Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf840.pdf
95.5Kb
8стр.