| Наименование | Кол-во | Цена |  | 
|---|---|---|---|
| IRF740AS | 1024 | 63.05 руб. | |
| Параметр | Значение | 
|---|---|
| Корпус | D2PAK | 
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V | 
| FET Feature | Standard | 
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant | 
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Power - Max | 3.1W | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | 
| Наименование | Кол-во | Цена |  | 
|---|---|---|---|
| LQG18HN22NJ00D | 80 |   | |
| LQW18AN27NG00D (MURATA) | 3400 | 23.68 руб. | |
| LQW18AN2N2D00D (MURATA) | 2840 | 14.81 руб. | |
| LQW18AN6N2C00D (MURATA) | 2000 | 16.75 руб. | |
 
        
            
            
            | IRF740AS Дискретные сигналы 400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak PackageТакже в этом файле: IRF740ASTRR 
                                Производитель: 
 | ||