Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 40 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 162 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 4 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 160 нКл
Рассеиваемая мощность 200 Вт
Корпус TO-220-3
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 95A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 162A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7360pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF1404S Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1404S
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
