Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1018EPBF | 623 | 75.78 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 79A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 1N5822 | 15992 | 5.59 руб. | |
| RC1206FR-07120RL (YAGEO) | 512 | 1.24 руб. | |
|
IRF1018EPBF MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
