Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STW20NM60

Версия для печати N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R

Наименование
Кол-во
Цена
 
STW20NM60 (ST MICROELECTRONICS) 291 417.27 руб. 

Технические характеристики STW20NM60

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия MDmesh™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 192W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
B88069X2180S102 (TDK (EPCOS)) 9540 418.35 руб. 
B88069X2190S102 (EPCOS) 25 483.96 руб. 
HER108 15280 1.27 руб. 
IRF740 1428 29.42 руб. 
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 90.72 руб. 
STB20NM60
Мощные полевые МОП транзисторы

N-CHANNEL 600V - 0.25 Ohm - 20A TO-220 / FP / DІ / IІPAK / TO-247 MDmeshTM MOSFET

Также в этом файле: STW20NM60

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

stb20nm60.pdf
356.74Kb
15стр.