STP4NK60Z
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, PtotНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| STP4NK60Z (ST MICROELECTRONICS) | 400 | 95.18 |
Технические характеристики STP4NK60Z
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 70W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru