Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBSS9110AS

Версия для печати

Технические характеристики PBSS9110AS

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
Power - Max 830mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус TO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBSS9110AS
Биполярные транзисторы

100 V, 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbss9110as.pdf
92.32Kb
12стр.