Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBT2907ALT1G

Версия для печати Полевой транзистор SMD

Технические характеристики MMBT2907ALT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 200MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
KBPC5010 (HOTTECH) 960 88.03 руб. 
UF2B ДИОД УЛЬТРАБЫСТР. (WTE) 16482 5.04 руб. 
W005M (HOTTECH) 2720 12.40 руб. 
КТ972А (МИНСК) 10839 57.96 руб. 
MMBT2907ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transisters PNP Silicon

Также в этом файле: MMBT2907ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbt2907alt1.pdf
121.53Kb
6стр.