Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJE2955T

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 599 89.57 руб. 

Технические характеристики MJE2955T

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Power - Max 75W
Frequency - Transition 2MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для MJE2955T

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD912 (ST MICROELECTRONICS) 556 238.12 руб. 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 136.96 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQP50N06L (FAIRCHILD) 533 145.15 руб. 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 136.96 руб. 
ST1S10PHR (ST MICROELECTRONICS) 7610 118.67 руб. 
TIP132 (ST MICROELECTRONICS) 114 203.93 руб. 
UTCMJE2955T
Биполярные транзисторы

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE

Производитель:
Unisonic Technologies
//www.utc-ic.com

utcmje2955t.pdf
11.38Kb
1стр.