MJD50T4G

Версия для печати

Наименование	Кол-во	Цена
MJD50T4G (ON SEMICONDUCTOR)	1996	50.88 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 300mA, 10V
Power - Max	1.56W
Frequency - Transition	10MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.