Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR5505 | 4424 | 33.67 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 57W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2РМДТ27КПН19Ш5А1В | 7 |
|
|
| 2РМТ14Б4Ш1А1В (ЭЛЕКОН) | 8 | 6 032.88 руб. | |
| 2РМТ22КПН4Ш3А1В (ЭЛЕКОН) | 40 | 7 275.74 руб. | |
|
IRFR5505 N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A) Также в этом файле: IRFR5505
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
