Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR220N | 2987 | 29.88 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 1N4758A (DC COMPONENTS) | 800 | 11.79 руб. | |
| D2MG (GAINTA) | 464 | 309.96 руб. | |
| TL331IDBVR | 2340 | 21.05 руб. | |
| КТ898А (БРЯНСК) | 130 | 327.60 руб. | |
|
IRFR220N Дискретные сигналы Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=600mohm, Id=5.0A)
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
