Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF5305S | 507 | 51.71 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 1N5821 | 6464 | 5.05 руб. | |
| ADM2687EBRIZ (ANALOG DEVICES) | 1440 | 707.68 руб. | |
| PLD-6 (KLS) | 13600 | 3.72 руб. | |
| TLP281 | 16 | 155.40 руб. | |
|
IRF5305S P-канальные транзисторные модули 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5305S
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
