BU508A

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS

Описание BU508A

Мощный высоковольтный NPN транзистор. Применяется в блоках горизонтальной развертки и импульсных блоках питания телевизоров.
Основные параметры транзистора BU508A:
Uкэ(max) Uбэ=0 1500V
Uкэ(max) Iб=0 700V
Iк(max) 8A
Iк.имп(max) 15A
Iб(max) 4A
Pрасс.(max) 125W
Iкэ.нас. (Iк=4,5А) < 1V
Диапазон рабочих температур -65..+150^oC
Hfe 6..30Fгр 7MHz
Cк 125pF
Время выключения 0,7µS
Корпус TO-3PN
Ближайший аналог КТ872А

Технические характеристики BU508A

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 2A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Power - Max	125W
Frequency - Transition	7MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BU508A

Наименование	Кол-во	Цена
2SD1497 (HITACHI)	53	140.62 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
L6562ADTR	2520	30.86 руб.

BU508AF

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Wing Shing Electronic
//www.wingshing.com

bu508af.pdf
144.83Kb
1стр.