Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFS3607PBF | 54 | 204.23 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 46A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRFS3607PBF MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
