Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR1018EPBF (INFINEON) | 2320 | 109.11 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 79A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BZV55C30 | 9868 | 1.58 руб. (от 100 шт. 0.79 руб.) | |
| CC0805JRNPO9BN471 (YAGEO) | 73600 | 1.24 руб. | |
| CC0805KKX7R8BB105 (YAGEO) | 14400 | 1.24 руб. | |
| CD4046BNSR | 4 |
|
|
| IRF8313PBF | 5 |
|
|
|
IRFR1018EPBF MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
