|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
FDD8447L
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40V, 50A, 44W Logic-Level) | 1 759 | 29.47 руб. | |
FDD8878
|
N-channel powertrench mosfet | 4 |
|
|
| FDG6322C | 4 |
|
||
| FDH300 | 4 015 | 26.64 руб. | ||
| FDLL4448 | 1 137 | 10.29 руб. | ||
| FDMA507PZ | 40 |
|
||
| FDN302P | 9 200 | 4.12 руб. | ||
| FDN304P | 8 600 | 4.18 руб. | ||
FDN335N
|
N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.73 руб. | |
FDN337N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 8 400 | 4.26 руб. | |
| FDN338P | 6 800 | 5.41 руб. | ||
| FDN340P | 40 |
|
||
FDN357N
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 9.52 руб. | |
FDN360P
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А | 9 600 | 4.44 руб. | |
| FDN5618P | 7 040 | 10.10 руб. | ||
FDN5630
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 720 | 6.92 руб. | |
| FDN86246 | 2 000 | 16.00 руб. | ||
| FDS3912 | 100v dual n-channel powertrench mosfet | 1 | 41.75 руб. | |
| FDS4435BZ | 2 080 | 12.80 руб. | ||
| FDS6612A | 2 |
|
||
| FDS9431A | P-канальный полевой транзистор (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W) | 2 320 | 16.98 руб. | |
| FDS9435A | 10 400 | 5.64 руб. | ||
FDV301N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W) | 11 600 | 4.84 руб. | |
FDV303N
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W) | 6 800 | 1.85 руб. | |
FDV305N
|
20v n-channel powertrench mosfet | 9 000 | 4.19 руб. | |
FEP16DT
|
3 | 167.01 руб. | ||
| FF150R12KE3G | модуль IGBT | 10 | 21 682.74 руб. | |
FFB5551
|
4 |
|
||
FGH40N60SFDTU
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop | 478 | 310.88 руб. | |
FGH40N60SMD
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт | 600 | 206.92 руб. | |
FGH40N60UFDTU
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт | 144 | 458.74 руб. | |
| FGH60N60SMD | 112 | 273.77 руб. | ||
| FIS115NL | 31 | 233.18 руб. | ||
FJAF6812
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN hi-res, 1500V, 12A, 60W, Tf<200nS | 53 | 312.98 руб. | |
| FLZ12VA | 4 |
|
||
| FM22L16-55-TG | 102 | 1 899.29 руб. | ||
| FM24CL16-S | Память FRAM, 2Кбайт, I2C до 1 МГц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:3.65В, -40°:+85°С | 10 | 90.72 руб. | |
| FM25V02-G | 1 |
|
||
| FM31256-G | FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 Мгц, неогр.кол-во циклов, Uпит=2.7:5.5В, -40°:+85°C, nSOIC14, Pb-Free | 87 | 421.80 руб. | |
| FMB2907A | 800 | 29.48 руб. | ||
| FMMT459TA | 2 384 | 42.18 руб. | ||
| FMMT555TA | 20 |
|
||
| FMMT560TA | 3 950 | 37.74 руб. | ||
FMMT591ATA
|
470 | 28.86 руб. | ||
| FMMT617TA | Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт | 1 461 | 28.86 руб. | |
FMMT619TA
|
TRANS HP NPN 50V 2000MA SOT23-3 | 26 |
|
|
| FMMT717TA | 7 040 | 28.86 руб. | ||
| FMMT720TA | TRANS SW PNP 40V 1.5A SOT23-3 | 31 |
|
|
FN2010-16-07
|
8 | 5 660.20 руб. | ||
| FN2200-150-40 | 1 | 66 600.00 руб. | ||
 |
 |
 |
 |
 |
 |