Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

VNS1NV04DP-E

Версия для печати

Описание VNS1NV04DP-E

MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC

Технические характеристики VNS1NV04DP-E

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия OMNIFET II™
Тип Low Side
Тип входа Non-Inverting
Число выходов 2
Сопротивление (On-State) 250 mOhm
Ток - выходной (пиковое значение) 1.7A
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BA7604N (ROHM) 8 70.31 руб. 
BA7611AN (ROHM) 8 172.37 руб. 


CD00269563.pdf