VNS1NV04DP-E
Описание VNS1NV04DP-E
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOICТехнические характеристики VNS1NV04DP-E
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OMNIFET II™ |
| Тип | Low Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Сопротивление (On-State) | 250 mOhm |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 1.7A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | SO-8 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru