Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STD10NM60N

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
STD10NM60N 1988 84.54 руб. 

Технические характеристики STD10NM60N

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия MDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 540pF @ 50V
Power - Max 70W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BFC233660222 (VISHAY) 800 253.82 руб. 
CC1206KRX7R9BB102 (YAGEO) 12604 3.10 руб. 
CC1206KRX7R9BB104 (YAGEO) 407840 2.40 руб. 
RC1206FR-07100KL (YAGEO) 176000 1.24 руб. 
ST13007 (ST MICROELECTRONICS) 296 155.75 руб.