Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

NDP603AL

Версия для печати

Технические характеристики NDP603AL

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 25A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 15V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
NDB603AL
Полевые ДМОП транзисторы

N-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Также в этом файле: NDP603AL

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

ndb603al.pdf
68.51Kb
5стр.