Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBT2222A | 48000 | 1.82 руб. (от 100 шт. 0.91 руб.) | |
Исходный полупроводниковый материал кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 350mW
Ucb max 75V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 1A
Tj max, °C 175°C
Ft max 300MHz
Cc tip 8
Hfe 100
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
