Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJD112G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
MJD112G (ONS) 62 95.47 руб. 

Описание MJD112G

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

Технические характеристики MJD112G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Power - Max 1.75W
Frequency - Transition 25MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус DPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148W (HOTTECH) 296703 1.27 руб. 
IRFR9024NTRPBF (INFINEON) 55556 31.09 руб. 
S07M-GS08 (VISHAY) 40818 8.40 руб. 
ZMM12 (HOTTECH) 3840 1.24 руб. 


MJD112-D.PDF