Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLZ34N

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLZ34N 7 88.80 руб. 

Технические характеристики IRLZ34N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 880pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ATTINY13A-SU (MICRO CHIP) 2960 161.18 руб. 
IDC-06F 40154 6.20 руб. 
IDC-10F 75392 5.33 руб. 
PIC16F886-I/SP (MICRO CHIP) 456 347.16 руб. 
PLS-40 (KLS) 14400 16.12 руб. 
IRLZ34N

N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irlz34n.pdf
66.17Kb
7стр.